NTD4809N-1G

NTD4809N, NTD4809N-1G, NTD4809N-35G, NTD4809NA-1G, NTD4809NA-35G, NTD4809NAT4G, NTD4809NH-1G, NTD4809NH-35G, NTD4809NHT4G, NTD4809NT4G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNTD4809N-1GNTD4809N-35GNTD4809NA-1GNTD4809NA-35GNTD4809NAT4GNTD4809NH-1GNTD4809NH-35GNTD4809NHT4GNTD4809NT4G
Корпус мікросхеми
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<1.3 Вт<1.3 Вт<2 Вт<2 Вт<2 Вт<1.3 Вт<1.3 Вт<1.3 Вт<1.3 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.456 нФVds = 12V1.456 нФVds = 12V1.456 нФVds = 12V1.456 нФVds = 12V1.456 нФVds = 12V2.155 нФVds = 12V2.155 нФVds = 12V2.155 нФVds = 12V1.456 нФVds = 12V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<9 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<9 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Заряд затвору
QG
13 нCVgs = 4.5V13 нCVgs = 4.5V13 нCVgs = 4.5V13 нCVgs = 4.5V13 нCVgs = 4.5V15 нCVgs = 4.5V15 нCVgs = 4.5V15 нCVgs = 4.5V13 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level GateStandardStandardStandardLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level Gate