На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTD4806N-1G | NTD4806N-35G | NTD4806NA-1G | NTD4806NA-35G | NTD4806NAT4G | NTD4806NT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <1.33 Вт | <1.33 Вт | <2.14 Вт | <2.14 Вт | <2.14 Вт | <1.33 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.142 нФVds = 12V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <11 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6 мОмId, Vgs = 30A, 10V | |||||
Заряд затвору | QG | 23 нCVgs = 4.5V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard | Standard | Logic Level Gate |