На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTD4302-1G | NTD4302G | NTD4302T4 | NTD4302T4G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63, DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <1.04 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.4 нФVds = 24V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <8.4 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <10 мОмId, Vgs = 20A, 10V | |||
Заряд затвору | QG | 80 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||