На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTD3808N-1G | NTD3808N-35G | NTD3808NT4G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий |
Потужність | P | <1.3 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.66 нФVds = 12V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <16 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <12 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.8 мОмId, Vgs = 15A, 10V | ||
Заряд затвору | QG | 21 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||