На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTD2955-1G | NTD2955G | NTD2955T4 | NTD2955T4G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <55 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 750 пФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <12 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <180 мОмId, Vgs = 6A, 10V | |||
Заряд затвору | QG | 30 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||