На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTD25P03L1 | NTD25P03L1G | NTD25P03LG | NTD25P03LRLG | NTD25P03LT4 | NTD25P03LT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <75 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.26 нФVds = 25V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <25 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <80 мОмId, Vgs = 25A, 5V | |||||
Заряд затвору | QG | 20 нCVgs = 5V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||