На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTD23N03R | NTD23N03R-001 | NTD23N03R-1G | NTD23N03RG | NTD23N03RT4 | NTD23N03RT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <1.14 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 225 пФVds = 20V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <25 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <3.8 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <45 мОмId, Vgs = 6A, 10V | |||||
Заряд затвору | QG | 3.76 нCVgs = 4.5V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||