На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTB90N02G | NTB90N02T4 | NTB90N02T4G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <85 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.12 нФVds = 20V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <24 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <90 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.8 мОмId, Vgs = 90A, 10V | ||
Заряд затвору | QG | 29 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||