NTB85N03T4

NTB85N03, NTB85N03G, NTB85N03T4, NTB85N03T4G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNTB85N03GNTB85N03T4NTB85N03T4G
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<80 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.15 нФVds = 24V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<28 В
Постійний струм стоку
IDSS
<85 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<6.8 мОмId, Vgs = 40A, 10V
Заряд затвору
QG
29 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Standard