На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTB60N06G | NTB60N06L | NTB60N06LG | NTB60N06LT4 | NTB60N06LT4G | NTB60N06T4 | NTB60N06T4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||||||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Потужність | P | <2.4 Вт | ||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.22 нФVds = 25V | 3.075 нФVds = 25V | 3.075 нФVds = 25V | 3.075 нФVds = 25V | 3.075 нФVds = 25V | 3.22 нФVds = 25V | 3.22 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <60 А | ||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <14 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <16 мОмId, Vgs = 30A, 5V | <16 мОмId, Vgs = 30A, 5V | <16 мОмId, Vgs = 30A, 5V | <16 мОмId, Vgs = 30A, 5V | <14 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <14 мОмId, Vgs = 30A, 10V |
Заряд затвору | QG | 81 нCVgs = 10V | 65 нCVgs = 5V | 65 нCVgs = 5V | 65 нCVgs = 5V | 65 нCVgs = 5V | 81 нCVgs = 10V | 81 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |