На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTB5605T4G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <88 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.19 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <18.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <140 мОмId, Vgs = 8.5A, 5V |
Заряд затвору | QG | 22 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |