NTB5404NT4G

NTB5404N, NTB5404NT4G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNTB5404NT4G
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<167 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
7 нФVds = 32V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<40 В
Постійний струм стоку
IDSS
<136 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<4.5 мОмId, Vgs = 40A, 10V
Заряд затвору
QG
125 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard