На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTB30N20G | NTB30N20T4 | NTB30N20T4G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <2 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.335 нФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <30 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <81 мОмId, Vgs = 15A, 10V | ||
Заряд затвору | QG | 100 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||