NTB30N06L

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		NTB30N06G	NTB30N06L	NTB30N06LG	NTB30N06LT4	NTB30N06LT4G	NTB30N06T4	NTB30N06T4G
Корпус мікросхеми	Корпус	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник	Виробник	ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<88.2 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	1.2 нФVds = 25V	1.15 нФVds = 25V	1.15 нФVds = 25V	1.15 нФVds = 25V	1.15 нФVds = 25V	1.2 нФVds = 25V	1.2 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<60 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<27 А	<30 А	<30 А	<30 А	<30 А	<27 А	<27 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<42 мОмId, Vgs = 15A, 10V	<46 мОмId, Vgs = 15A. 5V	<46 мОмId, Vgs = 15A. 5V	<46 мОмId, Vgs = 15A. 5V	<46 мОмId, Vgs = 15A. 5V	<42 мОмId, Vgs = 15A, 10V	<42 мОмId, Vgs = 15A, 10V
Заряд затвору	Q_G	46 нCVgs = 10V	32 нCVgs = 5V	32 нCVgs = 5V	32 нCVgs = 5V	32 нCVgs = 5V	46 нCVgs = 10V	46 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Standard	Standard