На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTB30N06G | NTB30N06L | NTB30N06LG | NTB30N06LT4 | NTB30N06LT4G | NTB30N06T4 | NTB30N06T4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||||||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Потужність | P | <88.2 Вт | ||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.2 нФVds = 25V | 1.15 нФVds = 25V | 1.15 нФVds = 25V | 1.15 нФVds = 25V | 1.15 нФVds = 25V | 1.2 нФVds = 25V | 1.2 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <27 А | <30 А | <30 А | <30 А | <30 А | <27 А | <27 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <42 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <46 мОмId, Vgs = 15A. 5V | <46 мОмId, Vgs = 15A. 5V | <46 мОмId, Vgs = 15A. 5V | <46 мОмId, Vgs = 15A. 5V | <42 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <42 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Заряд затвору | QG | 46 нCVgs = 10V | 32 нCVgs = 5V | 32 нCVgs = 5V | 32 нCVgs = 5V | 32 нCVgs = 5V | 46 нCVgs = 10V | 46 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |