На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NTB25P06G | NTB25P06T4 | NTB25P06T4G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <120 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.68 нФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <27.5 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <82 мОмId, Vgs = 25A, 10V | ||
Заряд затвору | QG | 50 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||