На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NILMS4501NR2 | NILMS4501NR2G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 4-LLP | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.4 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.5 нФVds = 6V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <24 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <9.5 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <13 мОмId, Vgs = 6A, 10V | |
Заряд затвору | QG | 25 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Current Sensing | |