NDT452AP

NDT452AP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNDT452AP
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223, SC-73, TO-261 (3 Leads + Tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<1.1 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
690 пФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<5 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<65 мОмId, Vgs = 5A, 10V
Заряд затвору
QG
30 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate