NDT451N

NDT451N

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNDT451N
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223, SC-73, TO-261 (3 Leads + Tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<1.1 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
730 пФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<5.5 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<50 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V
Заряд затвору
QG
25 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate