На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NDS0610 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <360 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 79 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <120 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <10 ОмId, Vgs = 500mA,10V |
Заряд затвору | QG | 2.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |