NDB5060L

NDB5060, NDB5060L

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNDB5060L
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<68 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
840 пФVds = 30V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<60 В
Постійний струм стоку
IDSS
<26 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<35 мОмId, Vgs = 13A, 10V
Заряд затвору
QG
24 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate