MTD20P03HDLT4

MTD20P03, MTD20P03HDLT4

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMTD20P03HDLT4
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<75 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.064 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<19 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<99 мОмId, Vgs = 9.5A, 5V
Заряд затвору
QG
22.4 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate