MTB23P06VT4

MTB23P06, MTB23P06VT4

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMTB23P06VT4
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<90 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.62 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<60 В
Постійний струм стоку
IDSS
<23 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<120 мОмId, Vgs = 11.5A, 10V
Заряд затвору
QG
50 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard