MMSF7P03HDR2G

MMSF7P03, MMSF7P03HDR2, MMSF7P03HDR2G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMSF7P03HDR2MMSF7P03HDR2G
Корпус мікросхеми
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.68 нФVds = 24V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<7 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<35 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V
Заряд затвору
QG
75.8 нCVgs = 6V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate