MMFT960T1G

MMFT960, MMFT960T1, MMFT960T1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMFT960T1MMFT960T1G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<800 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
65 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<60 В
Постійний струм стоку
IDSS
<300 мА
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<1.7 ОмId, Vgs = 1A, 10V
Заряд затвору
QG
3.2 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate