На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBF170-7 | MMBF170-7-F | MMBF170LT1 | MMBF170LT1G | MMBF170LT3 | MMBF170LT3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||||
Виробник | Виробник | Diodes Inc | Diodes Inc | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <300 мВт | <300 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 40 пФVds = 10V | 40 пФVds = 10V | 60 пФVds = 10V | 60 пФVds = 10V | 60 пФVds = 10V | 60 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <500 мА | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5 ОмId, Vgs = 200mA, 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |