На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBF0201NLT1 | MMBF0201NLT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <225 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 45 пФVds = 5V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <300 мА | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1 ОмId, Vgs = 300mA, 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |