IXUN350N10

IXUN350N10

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIXUN350N10
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-227B miniBLOC
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Потужність
P
<830 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
27 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<100 В
Постійний струм стоку
IDSS
<350 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<2.5 мОмId, Vgs = 175A, 10V
Заряд затвору
QG
640 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard