На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTY1R4N100P | IXTY1R4N120P | IXTY1R4N60P | IXTY1R6N100D2 | IXTY1R6N50D2 | IXTY1R6N50P | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||
Виробник | Виробник | IXYS | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <63 Вт | (не задано) | <50 Вт | <100 Вт | <100 Вт | <43 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 450 пФVds = 25V | (не задано) | 140 пФVds = 25V | 645 пФVds = 25V | 645 пФVds = 25V | 140 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | (не задано) | (не задано) | <600 В | (не задано) | <500 В | <500 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.4 А | <1.4 А | <1.4 А | <1.6 А | <1.6 А | <1.6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <11 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | (не задано) | <9 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <10 ОмId, Vgs = 800mA, 0V | <2.3 ОмId, Vgs = 800mA, 0V | <6.5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | Polar™ | (не задано) | PolarHV™ | (не задано) | (не задано) | PolarHV™ |
Заряд затвору | QG | 17.8 нCVgs = 10V | (не задано) | 5.2 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 5V | 23.7 нCVgs = 5V | 3.9 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Depletion Mode | Depletion Mode | Standard |