На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTY08N50D2 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Виробник | Виробник | IXYS |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <60 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 312 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <800 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4.6 ОмId, Vgs = 400mA, 0V |
Заряд затвору | QG | 12.7 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Depletion Mode |