На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTY08N100D2 | IXTY08N100P | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <60 Вт | <42 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 325 пФVds = 25V | 240 пФVds = 25V |
Постійний струм стоку | IDSS | <800 мА | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <21 ОмId, Vgs = 400mA, 0V | <20 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | Polar™ |
Заряд затвору | QG | 14.6 нCVgs = 5V | 11.3 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Depletion Mode | Standard |