На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTU01N100D | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) |
Виробник | Виробник | IXYS |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <1.1 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 120 пФVds = 25V |
Постійний струм стоку | IDSS | <100 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <110 ОмId, Vgs = 50mA, 0V |
Заряд затвору | QG | 6.9 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Depletion Mode |