На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTQ30N50L | IXTQ30N50L2 | IXTQ30N50P | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-3P | ||
Виробник | Виробник | IXYS | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <400 Вт | <400 Вт | <460 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 10.2 нФVds = 25V | 8.1 нФVds = 25V | 4.15 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <30 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <200 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | Linear L2™ | PolarHV™ |
Заряд затвору | QG | 240 нCVgs = 10V | 240 нCVgs = 10V | 70 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||