На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTP8N50P | IXTP8N50PM | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220 | |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <150 Вт | <41 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.05 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <8 А | <4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <800 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <800 мОмId, Vgs = 4A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PolarHV™ | |
Заряд затвору | QG | 20 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |