На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTP6N50D2 | IXTP6N50P | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220AB | TO-220 |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <300 Вт | <100 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.8 нФVds = 25V | 740 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <6 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <500 мОмId, Vgs = 3A, 0V | <1.1 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | PolarHV™ |
Заряд затвору | QG | 96 нCVgs = 5V | 14.6 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Depletion Mode | Standard |