На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTP50N20P | IXTP50N20PM | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220 | |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <360 Вт | <90 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.72 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <50 А | <20 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <60 мОмId, Vgs = 50A, 10V | <60 мОмId, Vgs = 25A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PolarHT™ | |
Заряд затвору | QG | 70 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |