На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTP3N100D2 | IXTP3N100P | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220 |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <125 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.02 нФVds = 25V | 1.1 нФVds = 25V |
Постійний струм стоку | IDSS | <3 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.5 ОмId, Vgs = 1.5A, 0V | <4.8 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | Polar™ |
Заряд затвору | QG | 37.5 нCVgs = 5V | 39 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Depletion Mode | Standard |