На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTP2R4N120P | IXTP2R4N50P | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220 | |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <125 Вт | <55 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.207 нФVds = 25V | 240 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | (не задано) | <500 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.4 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <7.5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <3.75 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | Polar™ | PolarHV™ |
Заряд затвору | QG | 37 нCVgs = 10V | 6.1 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |