IXTP1R4N100P

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		IXTP1R4N100P	IXTP1R4N120P	IXTP1R4N60P	IXTP1R6N100D2	IXTP1R6N50D2	IXTP1R6N50P
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-220	TO-220	TO-220	TO-220AB	TO-220AB	TO-220
Виробник	Виробник	IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<63 Вт	<86 Вт	<50 Вт	<60 Вт	<100 Вт	<43 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	450 пФVds = 25V	666 пФVds = 25V	140 пФVds = 25V	645 пФVds = 25V	645 пФVds = 25V	140 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	(не задано)	(не задано)	<600 В	(не задано)	<500 В	<500 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<1.4 А	<1.4 А	<1.4 А	<1.6 А	<1.6 А	<1.6 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<11 ОмId, Vgs = 500mA, 10V	<13 ОмId, Vgs = 500mA, 10V	<9 ОмId, Vgs = 500mA, 10V	<10 ОмId, Vgs = 800mA, 0V	<2.3 ОмId, Vgs = 800mA, 0V	<6.5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серія MOSFET	Серія	Polar™	Polar™	PolarHV™	(не задано)	(не задано)	PolarHV™
Заряд затвору	Q_G	17.8 нCVgs = 10V	24.8 нCVgs = 10V	5.2 нCVgs = 10V	27 нCVgs = 5V	23.7 нCVgs = 5V	3.9 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard	Standard	Standard	Depletion Mode	Depletion Mode	Standard