На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTP1N80 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220AB |
Виробник | Виробник | IXYS |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <40 Вт |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <800 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <750 мА |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <11 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Заряд затвору | QG | 8.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |