IXTN17N120

IXTN17N120, IXTN17N120L

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIXTN17N120L
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-227B miniBLOC
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Потужність
P
<540 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
8.3 нФVds = 25V
Постійний струм стоку
IDSS
<15 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<900 мОмId, Vgs = 8.5A, 20V
Заряд затвору
QG
155 нCVgs = 15V
FET Feature
FET Feature
Standard