IXTH50P085

IXTH50P085

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIXTH50P085
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-247AD
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<300 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
4.2 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<85 В
Постійний струм стоку
IDSS
<50 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<55 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Заряд затвору
QG
150 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard