На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTF200N10T | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | ISOPLUS i4-PAC™ |
Виробник | Виробник | IXYS |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <156 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 9.4 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <90 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <7 мОмId, Vgs = 50A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | TrenchMV™ |
Заряд затвору | QG | 152 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |