IXTA26P20

IXTA26P20, IXTA26P20P

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIXTA26P20P
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<300 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.74 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<200 В
Постійний струм стоку
IDSS
<26 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<170 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серія MOSFET
Серія
PolarP™
Заряд затвору
QG
56 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard