На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTA1R4N100P | IXTA1R4N120P | IXTA1R6N100D2 | IXTA1R6N50D2 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (3 leads + tab) |
Виробник | Виробник | IXYS | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <63 Вт | <86 Вт | <100 Вт | <100 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 450 пФVds = 25V | 666 пФVds = 25V | 645 пФVds = 25V | 645 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <500 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.4 А | <1.4 А | <1.6 А | <1.6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <11 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <13 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <10 ОмId, Vgs = 800mA, 0V | <2.3 ОмId, Vgs = 800mA, 0V |
Серія MOSFET | Серія | Polar™ | Polar™ | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 17.8 нCVgs = 10V | 24.8 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 5V | 23.7 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Depletion Mode | Depletion Mode |