На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXTA110N055P | IXTA110N055T | IXTA110N055T2 | IXTA110N055T7 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (6 leads + tab) |
Виробник | Виробник | IXYS | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <390 Вт | <230 Вт | <180 Вт | <230 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.21 нФVds = 25V | 3.08 нФVds = 25V | 3.06 нФVds = 25V | 3.08 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <110 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <13.5 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <7 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <6.6 мОмId, Vgs = 25A, 10V | <7 мОмId, Vgs = 25A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PolarHT™ | TrenchMV™ | TrenchT2™ | TrenchMV™ |
Заряд затвору | QG | 76 нCVgs = 10V | 67 нCVgs = 10V | 57 нCVgs = 10V | 67 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||