IXFX20N120P

IXFX20N120, IXFX20N120P

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIXFX20N120P
Корпус мікросхеми
Корпус
PLUS 247
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<780 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
11.1 нФVds = 25V
Постійний струм стоку
IDSS
<20 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<570 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серія MOSFET
Серія
Polar™
Заряд затвору
QG
193 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard