На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXFV52N30P | IXFV52N30PS | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PLUS-220 | PLUS-220SMD |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий |
Потужність | P | <400 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.49 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <300 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <52 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <66 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | PolarHT™ | |
Заряд затвору | QG | 110 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |