IXFV22N50

IXFV22N50, IXFV22N50P, IXFV22N50PS

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIXFV22N50PIXFV22N50PS
Корпус мікросхеми
Корпус
PLUS-220PLUS-220SMD
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірПоверхневий
Потужність
P
<350 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.63 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<500 В
Постійний струм стоку
IDSS
<22 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<270 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серія MOSFET
Серія
PolarHV™
Заряд затвору
QG
50 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard