IXFV12N120

IXFV12N120, IXFV12N120P, IXFV12N120PS

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIXFV12N120PIXFV12N120PS
Корпус мікросхеми
Корпус
PLUS-220PLUS-220SMD
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірПоверхневий
Потужність
P
<543 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
5.4 нФVds = 25V
Постійний струм стоку
IDSS
<12 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<1.35 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серія MOSFET
Серія
Polar™
Заряд затвору
QG
103 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard